驱动电路IR2104(MOS管驱动芯片) 1. VCC和VB还有VS COM和电源有关，2.逻辑输入SD高电平使能，HO和IN一样，LO和IN互补。3. VCC和VB还有VS,及一个二极管和电容构成自举电路。注：自举在H桥驱动电路中，一共需要4个MOS管。而这四个MOS管的导通与截止则需要专门的芯片来进行控制，即要介绍的半桥/全桥驱动芯片。所谓半桥驱动芯片，便是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧
IR2104是一个半桥驱动器，可接受低功率输入以输出大电流驱动，还为大功率晶体管(如功率MOSFET)的栅极供电。此外，IR2104 栅极驱动器还可用作电平转换器和功率放大器。IGBT 和MOSFET ir2104驱动电路原理一、IR2104的引脚定义：芯片引脚意义(DataSheet) SD信号为使能信号，高电平有效，芯片工作。IN为高电平时HO为高，LO为低；IN为低电平时，HO为
5.半桥驱动芯片IR2104S 所谓半桥驱动芯片，便是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管。因此采用半桥驱动芯片时，需要两块该芯片才能控制一个完整的H桥。 相应的，全桥驱实践驱动电路中通常要用硬件电路便当地控制开关，电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082,一种是半桥驱动IR2104,半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS
用IR2104制作双电机的MOS驱动设计方案首先，本人参考了《大功率直流马达的驱动——ABU ROBOCON 2005比赛之动力方案》按照这个原理图，我热转印制作了单个全桥IR2104(S)高电压，高转速动力MOSFET和GBT驱动器与相关的高与低侧参考输出通道专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出下降到33V逻辑输出驱动
还有一个原因是因为MOS管的寄生电容，可能会导致上电瞬间对电容充电，充电瞬间电容瞬间对地短路，可能也会造成电路的损坏，加一个泻放电阻也起一个限流作用。下面是IR2104驱动电路仿真H桥驱动原理1)电机驱动电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空IR2104SMO
