IR2110栅极电平箝位电路由于IR2110不能产生负偏压，将它用于驱动桥式电路时，由于密勒效应的存在，在开通与关断时刻，集电极与栅极间的寄生电容有位移电流产生，容易在栅极上产生干扰。IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS 工艺制作，具有独立的高端和低端输出通道；浮置电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V,duldt =土50V/ns,在15V下的静态功耗仅有1. 6mW;输出的栅极
＋＾＋ 简介：IR2110简单电路绘制创建时间：2020-08-26 20:42:11 更新时间：2020-09-04 11:56:36 描述IR2110驱动电路用于接收单片机的PWM波并以此为基础驱动主电路的IRF540N三极管，以实IR2110是一种性能比较优良的驱动集成电路，它的自举悬浮驱动电源可同时驱动同一桥臂的上、下两个开关器件，驱动电压高达500 V,工作频率为500 kHz,并具有电源欠压
IR2110是IR公司生产的大功率MOSFET和IGBT专用驱动集成电路，可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动，同时还具有快速完整的保护功能，因而它可以提高控制系统的可靠性，减少电路的复杂程集成IGBT驱动电路IR2110原理电路图IR2110是一种双通道高压，高速电压型功率开关器件栅极驱动电路，其有自丼浮动电源，驱动电路非常简单，只用一路电源可同时驱动上
如图IR2110驱动IGBT的电路(a)驱动电路(b)内部等效电路IGBT导通时最低电压。式中，IQBS为高压电源的维持电流，tON(max)为VT,的最大导通时间。如图(a)中IGBT选用MP6750,开关从图中可以看出ir2110驱动电路负压，这个时间是死区时间，也就是说，在这段时间内两个管子都不导通，半桥的中点电压是母线电压的一半。也就是说C1、C2充电也是母
